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Optoacoplador de fototransistor de grado de consumo OR-3H7-EN-V13
Optoacoplador de fototransistor de grado de consumo OR-3H7-4-EN-V3
Optoacoplador de fototransistor de grado de consumo OR-3H4-EN-V12
Optoacoplador de fototransistor de grado de consumo OR-3H4-4-EN-V3
Optoacoplador de fototransistor de grado de consumo ORPC-817-S-(SJ)
Optoacoplador de fototransistor de grado de consumo ORPC-817-S-(SJ)-EN-V0La serie de dispositivos TIL113, 4NXX consta cada uno de un diodo emisor de infrarrojos acoplado ópticamente a un detector Darlington. Están empaquetados en un encapsulado DIP de 6 pines y disponibles en opciones SMD y de espaciado amplio de conductores.
Características 909101}
(1) 4NXX serie: 4N29, 4N30, 4N31, 4N32, 4N33 6558} TIL113 serie : TIL113.
(2) Alto aislamiento voltaje entre entrada y salida (Viso=5000 V rms)
(3) Distancia de fuga >7,62 mm
(4) Temperatura de funcionamiento hasta hasta +115 °C
(5) Paquete compacto doble en línea
(6) Seguridad aprobación
Aprobado por UL (No.E323844)
Aprobado por VDE (No.40029733)
Aprobado por CQC (No.CQC19001231480 )
(7) En cumplimiento con RoHS, Estándares REACH .
(8) MSL Clase Ⅰ
Instrucciones
Cada uno de los dispositivos de la serie TIL113, 4NXX consta de un diodo emisor de infrarrojos acoplado ópticamente a un detector Darlington. Están empaquetados en Un paquete DIP de 6 pines y disponible en opción SMD y espaciado de cables amplio.
Rango de aplicación
Circuitos lógicos de baja potencia
Equipos de telecomunicaciones
Electrónica portátil
Interfaz de sistemas de acoplamiento de diferentes potenciales e impedancias
Valor nominal absoluto máximo (temperatura normal = 25 ℃)
|
Parámetro |
Símbolo |
Valor nominal |
Unidad |
|
|
Entrada |
Corriente directa |
SI |
60 |
mA |
|
Temperatura de unión |
TJ |
125 |
℃ |
|
|
Voltaje inverso |
VR |
6 |
V |
|
|
Disipación de potencia (TA = 25 °C) Factor de reducción (por encima de 100 °C) |
PD |
120 |
mW |
|
|
3,8 |
mW/°C |
|||
|
Salida |
Voltaje colector-emisor |
VCEO |
80 |
V |
|
Voltaje colector-base |
VCBO |
80 |
||
|
Voltaje emisor-colector |
VECO |
7 |
||
|
Voltaje emisor-base |
VEBO |
7 |
||
|
Disipación de potencia (T A = 25 °C) Factor de reducción (por encima de 100 °C) |
ordenador personal |
150 |
mW |
|
|
6,5 |
mW/°C |
|||
|
Energía de consumo total |
Ptot |
200 |
mW |
|
|
*1 Voltaje de aislamiento |
Viso |
5000 |
Vrms |
|
|
Temperatura de trabajo |
Topr |
-55 a +115 |
℃ |
|
|
Temperatura de depósito |
TSTG |
-55 a +150 |
||
|
*2 Temperatura de soldadura |
TSOL |
260 |
||
*1. Prueba de CA, 1 minuto, humedad = 40~60 % Método de prueba de aislamiento como se muestra a continuación:
Cortocircuito en ambos terminales del fotoacoplador.
Corriente al probar el voltaje de aislamiento.
Agregar voltaje de onda sinusoidal al probar
*2. El tiempo de soldadura es de 10 segundos.
Características optoelectrónicas
|
Parámetro |
Símbolo |
Mín. |
Tipo.* |
Máx. |
Unidad |
Condición |
||
|
Entrada |
Voltaje directo |
FV |
--- |
1,2 |
1,5 |
V |
SI=10mA |
|
|
Corriente inversa |
IR |
--- |
--- |
10 |
μA |
VR=6V |
||
|
Capacitancia del colector |
Cin |
--- |
50 |
--- |
pF |
V=0, f=1MHz |
||
|
Salida |
Corriente oscura de la base del colector |
ICBO |
--- |
--- |
20 |
no disponible |
VCB=10V |
|
|
Colector a emisor Actual |
ICEO |
--- |
--- |
100 |
no disponible |
VCE=10V, SI=0mA |
||
|
Voltaje de atenuación colector-emisor |
BVCEO |
55 |
--- |
--- |
V |
IC=1mA |
||
|
Voltaje de ruptura de la base del colector |
BVCBO |
55 |
--- |
--- |
V |
IC=0,1 mA |
||
|
Tensión de atenuación emisor-colector |
BVECO |
7 |
--- |
--- |
V |
IE=0,1 mA |
||
|
Características transformadoras |
Relación de transferencia actual |
4N32,4N33 |
CTR |
500 |
--- |
--- |
% |
SI=10mA VCE=10V |
|
4N29,4N30 |
100 |
--- |
--- |
|||||
|
4N31 |
50 |
--- |
--- |
|||||
|
TIL113 |
300 |
--- |
--- |
SI=10mAVCE=1V |
||||
|
Voltaje de saturación de colector y emisor |
4N29, 4N30, 4N32,4N33 |
VCE(sáb) |
--- |
--- |
1,0 |
V |
FI=8mA IC=2mA |
|
|
4N31,TIL113 |
--- |
--- |
1,2 |
FI=8mA, IC=2mA |
||||
|
Resistencia de aislamiento |
Riso |
1011 |
--- |
--- |
Ω |
CC 500 V 40 ~ 60 % H.R. |
||
|
Capacitancia de entrada-salida |
CIO |
--- |
0,8 |
--- |
pF |
VIO=0, f=1MHz |
||
|
Tiempo de respuesta |
tr |
--- |
3 |
10 |
μs |
VCC=10 V, IC=10 mARL=100 Ω |
||
|
Tiempo de descenso |
tf |
--- |
6 |
10 |
μs |
|||
Relación de conversión actual = IC/IF × 100%
Información del pedido
Número de pieza
OR-4NXXY-Z-W
o OR-TIL113Y-Z-W
Nota
4NXX = Número de pieza (4N29,4N30, 4N31,4N32 o 4N33)
TIL113= Número de pieza
Y = Opción de formulario principal (S, M o Ninguno)
Z = Opción de cinta y carrete (TA,TA1 o ninguno).
W= Código 'V' para seguridad VDE (Esta opción no es necesaria).
*Se puede elegir el código VDE.
|
Opción |
Descripción |
Cantidad de embalaje |
|
Ninguno |
DIP-6 estándar |
66 unidades por tubo |
|
M |
Curva de cable ancha (espaciado de 0,4 pulgadas) |
66 unidades por tubo |
|
S(TA) |
Forma de cable de montaje en superficie (perfil bajo) + opción de carrete y cinta TA |
1000 unidades por carrete |
|
S(TA1) |
Forma de cable de montaje en superficie (perfil bajo) + opción de cinta y carrete TA1 |
1000 unidades por carrete |